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深圳市月盛电子有限公司供应欧姆龙G3VM-351G MOS FET继电器
MOS FET和红外发光二极管进行光结合的高度为2.1mm的薄小平型小外形封装MOS FET继电器
▶ 更新G3VM-S2系列。
▶ 连续负载电流110mA。
▶ 输出适用负载有2A、3A。
欧姆龙G3VM-351G 电气性能（Ta ＝25℃）
| 项目 | 符号 | 最小 | 标准 | 最大 | 单位 | 条件 | |
| 输入侧 | LED正向电压 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
| 反向电流 | IR | — | — | 10 | μA | VR=5V | |
| 端子间电容 | CT | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
| 触发LED正向电流 | IFT | — | 1 | 3 | mA | IO=100mA | |
| 复位LED正向电流 | IFC | 0.1 | — | — | mA | IOFF=100μA | |
| 输出侧 | 最大输出导通电阻 | RON | — | 25 | 35 | Ω | IF=5mA、IO=110mA、t<1s |
| — | 35 | 50 | Ω | IF=5mA、IO=110mA | |||
| 开路时漏电流 | ILEAK | — | — | 1.0 | μA | VOFF=350V | |
| 端子间电容 | COFF | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
| 输入输出间电容 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
| 输入输出间电容绝缘电阻 | RI-O | 1000 | 108 | — | MΩ | VI-O=500VDC、RoH≦60% | |
| 动作时间 | tON | — | 0.3 | 1.0 | ms |
IF=5mA、RL=200Ω、 VDD=20V（注2） |
|
| 复位时间 | tOFF | — | 0.1 | 1.0 | ms | ||
|
（注2）: 动作· 复位时间
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